快速热退火对MBE生长的InGaNAs材料结构的影响

• 作者: 任正伟 吴荣汉 张石勇 徐应强 牛智川
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: InGaNAs 快速热退火 spinodal分解
• 年，卷（期）: 2005,（z1）
• 页码范围: 36-38
• 页数: 3页
• 分类号: TN304.054
• 字数: 1608字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.z1.010

摘要

从系统自由能角度,阐明了MBE生长的InGaNAs材料在高温热退火过程中材料内部的结构变化.在热退火时,In-Ga互扩散和N-As互扩散引起spinodal分解,N原子趋向于与In结合形成In-N键,使InGaNAs材料的带隙增加,从而引起PL谱峰值的蓝移.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	牛智川	中国科学院半导体研究所	45	124	5.0	8.0
2	徐应强	中国科学院半导体研究所	17	50	4.0	6.0
3	吴荣汉	中国科学院半导体研究所	22	159	8.0	12.0
4	任正伟	中国科学院半导体研究所	9	25	3.0	4.0
5	张石勇	中国科学院半导体研究所	1	2	1.0	1.0