Hg1-xCdxTe分子束外延薄膜晶格参数与组分关系的研究

• 作者: 何力 孙涛 方维政 杨建荣 王庆学 魏彦锋
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: Hg1-xCdxTe薄膜 晶格参数 组分 应变
• 年，卷（期）: 2005,（8）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:结构、热学和力学性质
• 页码范围: 3726-3733
• 页数: 8页
• 分类号: O4
• 字数: 6874字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2005.08.046

摘要

高分辨率x射线衍射技术被应用于Hg1-xCdxTe分子束外延薄膜晶格参数的测量及其晶格应变状态的研究,研究发现Hg1-xCdxTe分子束外延薄膜内既存在正应变也存在剪切应变.通过应用晶体弹性理论,对Hg1-xCdxTe分子束外延薄膜的应变状态进行了定量的分析与计算,获得了Hg1-xCdxTe分子束外延薄膜在完全弛豫状态下的晶格参数,从而得到了Hg1-xCdxTe分子束外延薄膜晶格参数与组分的关系,该关系符合Vegard's定律,而不是早期研究所给出的Higgins公式.研究还发现,根据对称衍射测量所得到的(224)晶面间距,可直接计算出Hg1-xCdxTe分子束外延薄膜晶格参数,并用Vegard's定律确定组分的方法,可作为估算Hg1-xCdxTe分子束外延材料组分的常规技术,其组分的测量误差在0.01左右.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王庆学	中国科学院上海技术物理研究所	14	65	5.0	7.0
2	魏彦锋	中国科学院上海技术物理研究所	22	117	6.0	9.0
3	杨建荣	中国科学院上海技术物理研究所	38	175	7.0	11.0
4	何力	中国科学院上海技术物理研究所	54	417	13.0	17.0
5	孙涛	中国科学院上海技术物理研究所	100	734	14.0	23.0
6	方维政	中国科学院上海技术物理研究所	20	91	6.0	8.0