一种新颖的4bit和5bit超宽带GaAs单片数字衰减器

• 作者: 张斌 李拂晓 沈亚 王会智 蒋幼泉
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 超宽带 数字衰减器 MMIC 高性能
• 年，卷（期）: 2005,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 585-589
• 页数: 5页
• 分类号: TN386
• 字数: 2095字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.03.031

摘要

介绍了一种新颖的DC～20GHz的4bit和5bit GaAs单片数字衰减器的设计、制造和测试结果.该衰减器的设计采用纵向思维的方法.最终得到的4bit数字衰减器的主要性能指标是:在DC～20GHz频带内,插入损耗≤3.5dB,最大衰减量15dB,衰减步进1dB,衰减平坦度≤0.2dB,衰减精度≤±0.3dB,两端口所有态的电压驻波比≤1.6,相对于参考态,衰减态的插入相移在-10°～5°以内,芯片尺寸1.8mm×1.6mm×0.1mm.5bit数字衰减器的主要性能指标是:在DC～20GHz频带内,插入损耗≤3.8dB,最大衰减量15.5dB,衰减步进0.5dB,衰减平坦度≤0.3dB,衰减精度≤±0.4dB,两端口所有衰减态的电压驻波比≤1.8,相对于参考态,衰减态的插入相移在-14°～2°以内,芯片尺寸2.0mm×1.6mm×0.1mm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	蒋幼泉		34	192	9.0	11.0
2	李拂晓		60	352	10.0	14.0
3	张斌		25	123	7.0	10.0
4	沈亚		9	37	4.0	5.0
5	王会智		2	28	2.0	2.0