超薄氮氧叠层栅介质的金属栅pMOS电容的电学特性

• 作者: 吴峻峰 徐秋霞 杨建军 钟兴华
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 等效氧化层厚度 氮化硅/氮氧化硅复合叠层栅介质 高k 硼穿通 金属栅
• 年，卷（期）: 2005,（4）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 651-655
• 页数: 5页
• 分类号: TN432
• 字数: 797字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.04.004

摘要

研究了高质量超薄氮化硅/氮氧化硅(N/O)叠层栅介质的金属栅pMOS电容的电学特性,制备了栅介质等效厚度小于2nm的N/O复合叠层栅介质,该栅介质具有很强的抗硼穿通能力和低的漏电流.实验表明这种N/O复合栅介质与优化溅射W/TiN金属栅相结合的技术具有良好的发展前景.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐秋霞	中国科学院微电子研究所	37	108	6.0	8.0
2	吴峻峰	中国科学院微电子研究所	14	43	4.0	5.0
3	杨建军	中国科学院微电子研究所	23	346	7.0	18.0
4	钟兴华	中国科学院微电子研究所	11	31	4.0	5.0