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摘要:
研究了高质量超薄氮化硅/氮氧化硅(N/O)叠层栅介质的金属栅pMOS电容的电学特性,制备了栅介质等效厚度小于2nm的N/O复合叠层栅介质,该栅介质具有很强的抗硼穿通能力和低的漏电流.实验表明这种N/O复合栅介质与优化溅射W/TiN金属栅相结合的技术具有良好的发展前景.
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关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 超薄氮氧叠层栅介质的金属栅pMOS电容的电学特性
来源期刊 半导体学报 学科 工学
关键词 等效氧化层厚度 氮化硅/氮氧化硅复合叠层栅介质 高k 硼穿通 金属栅
年,卷(期) 2005,(4) 所属期刊栏目 研究快报
研究方向 页码范围 651-655
页数 5页 分类号 TN432
字数 797字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.04.004
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 徐秋霞 中国科学院微电子研究所 37 108 6.0 8.0
2 吴峻峰 中国科学院微电子研究所 14 43 4.0 5.0
3 杨建军 中国科学院微电子研究所 23 346 7.0 18.0
4 钟兴华 中国科学院微电子研究所 11 31 4.0 5.0
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研究主题发展历程
节点文献
等效氧化层厚度
氮化硅/氮氧化硅复合叠层栅介质
高k
硼穿通
金属栅
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
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期刊影响力
半导体学报(英文版)
月刊
1674-4926
11-5781/TN
大16开
北京912信箱
2-184
1980
eng
出版文献量(篇)
6983
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8
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