截止频率为120GHz的晶格匹配InP基HEMT

• 作者: 尹军舰 张海英 牛洁斌 钱鹤 陈立强
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 截止频率 高电子迁移率场效应晶体管 InAlAs/InGaAs InP
• 年，卷（期）: 2005,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 472-475
• 页数: 4页
• 分类号: TN386
• 字数: 918字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.03.009

摘要

报道了具有良好直流特性的晶格匹配InP基HEMT，器的跨导为600mS/mm，阈值电压为－1-2V，最大电流密度为500mA/mm，截止频率为120GHz.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张海英	中国科学院微电子研究所	114	574	11.0	17.0
2	尹军舰	中国科学院微电子研究所	31	99	6.0	7.0
3	钱鹤	中国科学院微电子研究所	32	164	7.0	12.0
4	陈立强	中国科学院微电子研究所	14	62	4.0	7.0
5	牛洁斌	中国科学院微电子研究所	12	43	4.0	6.0