1.3μm GaAs基量子点垂直腔面发射激光器结构设计与分析

• 作者: 佟存柱 吴荣汉 牛智川 韩勤
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 量子点 垂直腔面发射激光器 增益
• 年，卷（期）: 2005,（8）
• 所属期刊栏目: 唯象论的经典领域
• 页码范围: 3651-3656
• 页数: 6页
• 分类号: O4
• 字数: 3763字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2005.08.031

摘要

结合垂直腔面发射激光器(VCSEL)原理以及量子点增益特点,计算了不同结构VCSEL的腔内损耗和量子点的模式增益.分析了激光器阈值特性以及氧化限制层对光损耗的影响.设计了含氧化限制层的1.3 μm量子点VCSEL结构.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	韩勤	中国科学院半导体研究所	24	164	7.0	12.0
2	牛智川	中国科学院半导体研究所	45	124	5.0	8.0
3	吴荣汉	中国科学院半导体研究所	22	159	8.0	12.0
4	佟存柱	中国科学院半导体研究所	10	80	4.0	8.0