fmax为100GHz的蓝宝石衬底AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管

• 作者: 乔树允 刘玉贵 周州 曾庆明 李献杰 蔡树军 蔡道民 赵永林
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: AlGaN/GaN HEMT 蓝宝石
• 年，卷（期）: 2005,（11）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 2049-2052
• 页数: 4页
• 分类号: TN386
• 字数: 479字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.11.001

摘要

制作了蓝宝石衬底上生长的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管.0V栅压下,0.3μm栅长、100μm栅宽的器件的饱和漏电流密度为0.85A/mm,峰值跨导为225mS/mm;特征频率和最高振荡频率分别为45和100GHz;4GHz频率下输出功率密度和增益分别为1.8W/mm和9.5dB,8GHz频率下输出功率密度和增益分别为1.12W/mm和11.5dB.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	蔡树军		7	25	3.0	5.0
2	刘玉贵		8	15	2.0	3.0
3	李献杰		12	45	4.0	6.0
4	赵永林		4	37	4.0	4.0
5	曾庆明		5	28	3.0	5.0
6	乔树允		2	17	2.0	2.0
7	周州		1	6	1.0	1.0
8	蔡道民		1	6	1.0	1.0