离子束辅助沉积铪膜抑制栅电子发射性能研究

• 作者: 任琮欣 冯涛 柳襄怀 江炳尧 王曦 蒋军 邹世昌 郑志宏
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 工学
• 关键词: 抑制电子发射 铪 离子束辅助沉积 钼栅极
• 年，卷（期）: 2005,（11）
• 所属期刊栏目: 研究与开发
• 页码范围: 1673-1675
• 页数: 3页
• 分类号: TG146.4
• 字数: 1864字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9731.2005.11.008

摘要

利用离子束辅助沉积(IBAD)方法在Mo栅极表面沉积铪膜,采用模拟二极管方法测量和比较阴极活性物质Ba、BaO蒸发在镀铪和纯钼栅极表面的电子发射性能.实验结果表明,镀铪栅极抑制电子发射性能较好,并初步探讨了离子束辅助沉积铪膜抑制栅电子发射的机理.