使用新注入锁定技术的低相位噪声正交振荡器

• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 振荡器 射频 CMOS 相位噪声
• 年，卷（期）: 2005,（9）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 1705-1710
• 页数: 6页
• 分类号: TN752
• 字数: 375字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.09.005

摘要

提出了一种利用新注入锁定技术的低相位噪声正交振荡器,激励信号直接注入子谐波振荡器的共源连接点.原理上,正交振荡器的相位噪声性能会比子谐波振荡器的相位噪声性能好.该正交振荡器已经采用0.25μmCMOS工艺实现,测试结果表明该正交振荡器的振荡频率约为1.13GHz,在偏离振荡频率1MHz处的相位噪声约为-130dBc/Hz.该振荡器采用2.5V电源电压,消耗的电流约为8.0mA.