预热处理和纳米氧化铝膜对低压铝箔化成比电容的影响

• 作者: 何业东 张巍 陈义庆
• 来源期刊: 金属热处理
• 学科: 工学
• 关键词: 低压铝箔 预热处理 纳米氧化膜 比电容 形成时间
• 年，卷（期）: 2005,（9）
• 所属期刊栏目: 工艺研究
• 页码范围: 42-44
• 页数: 3页
• 分类号: TM535
• 字数: 2529字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0254-6051.2005.09.012

摘要

研究了预热处理温度、时间以及沉积纳米氧化铝膜对低压铝箔化成比电容的影响.结果表明,铝箔沉积纳米氧化铝膜并进行适当热处理,在20V电压化成后铝箔的比电容比传统化成和预热处理后进行化成的比电容有显著提高,最大比电容提高幅度近30%,形成时间降低90%以上.