InAs/GaAs多层堆垛量子点激光器的激射特性

• 作者: 叶小玲 徐波 王占国 钱家骏 陈涌海 韩勤
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 应变自组装量子点 InAs/GaAs多层堆垛量子点 量子点激光器 MBE生长
• 年，卷（期）: 2005,（z1）
• 页码范围: 184-188
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.2+3
• 字数: 2831字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.z1.048

摘要

利用固态源分子束外延技术,按S-K模式生长出五层堆垛InAs/GaAs量子点(QD)微结构材料.用这种QD材料制成的激光器,内光学损耗为2.1cm-1,透明电流密度为15士10 A/cm2.对于条宽100μm,腔长2.4mm的激光器(腔面未经镀膜处理),室温下基态激射的波长为1.08μm,阈值电流密度为144A/cm2,连续波光功率输出达2.67W(双面),外量子效率为63%,特征温度为320K.研究了QD激光器翟激射特性,并对结果作了讨论.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐波	中国科学院半导体研究所半导体材料重点实验室	92	929	15.0	27.0
2	韩勤	中国科学院半导体研究所光电子工艺中心	24	164	7.0	12.0
3	王占国	中国科学院半导体研究所半导体材料重点实验室	101	701	15.0	23.0
4	陈涌海	中国科学院半导体研究所半导体材料重点实验室	16	40	4.0	5.0
5	钱家骏	中国科学院半导体研究所半导体材料重点实验室	3	7	1.0	2.0
6	叶小玲	中国科学院半导体研究所半导体材料重点实验室	9	25	3.0	4.0