N-Al共掺ZnO薄膜的p型传导特性

• 作者: 叶志镇 吕建国 曾昱嘉 朱丽萍 诸葛飞 赵炳辉
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: N-Al共掺ZnO薄膜 p型传导 N2O生长气氛 直流反应磁控溅射
• 年，卷（期）: 2005,（4）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 730-734
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.2+1
• 字数: 2515字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.04.019

摘要

利用直流反应磁控溅射技术制得N-Al共掺的p型ZnO薄膜,N2O为生长气氛.利用X射线衍射(XRD),Hall实验,X射线光电子能谱(XPS)和光学透射谱对共掺ZnO薄膜的性能进行研究.结果表明,薄膜中Al的存在显著提高了N的掺杂量,N以N-Al键的形式存在.N-Al共掺ZnO薄膜具有优良的p型传导特性.当Al含量为0.15wt%时,共掺ZnO薄膜的电学性能取得最优值,载流子浓度为2.52×1017cm-3,电阻率为57.3Ω·cm,Han迁移率为0.43cm2/(V·s).N-Al共掺p型ZnO薄膜具有高度c轴取向,在可见光区域透射率高达90%.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	朱丽萍	浙江大学硅材料国家重点实验室	39	267	10.0	15.0
2	叶志镇	浙江大学硅材料国家重点实验室	155	1638	21.0	35.0
3	赵炳辉	浙江大学硅材料国家重点实验室	74	719	14.0	24.0
4	吕建国	浙江大学硅材料国家重点实验室	35	769	12.0	27.0
5	曾昱嘉	浙江大学硅材料国家重点实验室	10	71	5.0	8.0
6	诸葛飞	浙江大学硅材料国家重点实验室	4	50	4.0	4.0