RTV/纳米层状硅酸盐复合绝缘的抗电痕性

• 作者: 刘辉 文习山 蓝磊 蔡登科
• 来源期刊: 高电压技术
• 学科: 工学
• 关键词: 室温硫化硅橡胶 抗电痕性 纳米技术
• 年，卷（期）: 2005,（4）
• 所属期刊栏目: 专题论述
• 页码范围: 19-20,26
• 页数: 3页
• 分类号: TM85|TM215
• 字数: 1953字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-6520.2005.04.008

摘要

为提高RTV的抗电痕性,用纳米技术对其改性,合成RTV纳米复合材料并试验研究了它的耐漏电起痕及电蚀损能力,分析层状纳米材料的抗电痕机理的结果表明,层状纳米材料可大大提高RTV的抗电痕性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	蓝磊	武汉大学电气工程学院	106	1335	22.0	33.0
2	文习山	武汉大学电气工程学院	246	4981	39.0	56.0
3	蔡登科	武汉大学电气工程学院	9	158	6.0	9.0
4	刘辉	武汉大学电气工程学院	62	367	12.0	15.0