多晶硅薄膜的高温压阻效应

• 作者: 刘晓为 宋明浩 张丹 王喜莲 霍明学
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 压阻效应 多晶硅 应变系数
• 年，卷（期）: 2005,（11）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 2115-2119
• 页数: 5页
• 分类号: O738
• 字数: 2899字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.11.014

摘要

利用LPCVD制备重掺杂多晶硅薄膜,在0～560℃温度范围内对薄膜的压阻效应进行研究,同时对多晶硅薄膜应变系数随温度的变化,以及薄膜的淀积温度与薄膜厚度对应变系数的影响进行了相关的实验研究.结果表明,利用多晶硅材料制作的压敏电阻,其最高工作温度可以达到560℃以上.