数字射频存储器用DAC静态参数的表征与测试

• 作者: 夏冠群 张有涛 李拂晓 杨乃彬 高建峰
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 静态参数 数模转换器 非线性 表征
• 年，卷（期）: 2005,（4）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 781-785
• 页数: 5页
• 分类号: TN431.1
• 字数: 2276字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.04.029

摘要

分析并讨论了应用于相位体制数字射频存储器的DAC静态参数的表征方法.提出用时间非线性(TDNL和TINL)、幅度非线性(ADNL和AINL)以及相位非线性(PNL)来全面描述相位体制DAC的静态性能.仿真结果证明上述静态参数对DAC的频域性能有着显著影响,用它们表征相位体制DAC的静态性能是必要且可行的.采用上述方法对利用标准75mm GaAs MESFET全离子注入工艺流片得到的3bit相位体制DAC进行了低频静态测试,其静态参数优异,性能良好.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	高建峰		23	98	7.0	9.0
2	夏冠群	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	61	307	9.0	16.0
3	李拂晓		60	352	10.0	14.0
4	杨乃彬		18	95	6.0	8.0
5	张有涛	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	19	40	4.0	5.0