应用于深亚微米DSOI器件的埋氧层的制备

• 作者: 易万兵 王曦 董业民 邹世昌 陶凯
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: DSOI SIMOX 埋氧层
• 年，卷（期）: 2005,（6）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1187-1190
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.1+2
• 字数: 2099字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.06.024

摘要

利用低剂量、低能量的SIMOX(separation by implanted oxygen)图形化技术实现了深亚微米间隔埋氧层的制备.在二氧化硅掩膜尺寸为172nm的情况下,可以得到间隔为180nm的埋氧层.通过TEM(transmission electron microscope)观察发现埋层形貌完整、界面陡峭、无硅岛及其他缺陷.该结果为DSOI(dain/source on insulator)器件向更小尺寸发展奠定了工艺基础.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王曦	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	60	322	10.0	15.0
3	陶凯	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	9	51	4.0	6.0
7	易万兵	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	5	38	2.0	5.0
9	董业民		1	2	1.0	1.0