放射状双pn结抑制片上电感衬底损耗

• 作者: 何捷 唐珏 唐长文 菅洪彦 闵昊
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 片上电感 放射状双pn结 涡流 衬底损耗
• 年，卷（期）: 2005,（7）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1328-1333
• 页数: 6页
• 分类号: TM55
• 字数: 396字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.07.009

摘要

使用标准CMOS工艺,在放射状的n阱上面扩散p+,使垂直和水平方向形成双pn结,将此结放在电感的底部用来抑制衬底损耗.提出并实验证明了该结构形成的高阻区厚度不是垂直pn结耗尽层的厚度,而是最低层的pn结的深度.首次通过接地的p+扩散层屏蔽电感到衬底电场,水平和垂直pn结耗尽层厚度随着pn结反向偏压升高改变衬底有效的高阻区厚度,电感品质因数跟随高阻区厚度升降,有效地证明了pn结衬底隔离可以降低电感的衬底电流造成的损耗.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	闵昊	复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室	108	1103	18.0	27.0
2	唐长文	复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室	33	330	11.0	16.0
3	何捷	复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室	15	340	7.0	15.0
4	菅洪彦	复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室	5	29	3.0	5.0
5	唐珏	复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室	8	15	2.0	3.0