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摘要:
为了验证阶跃可变电容压控振荡器调谐特性理论分析的正确性,提出了一种采用开关阶跃电容的新型压控振荡器电路,该压控振荡器电路采用0.25μm 1P5M CMOS工艺实现.一种新型开关阶跃电容实现了频率调谐功能,该电容的调谐电容是传统反型MOS管可变电容的146%.在1/f3区域,差分调谐振荡器的相位噪声比单端调谐振荡器低7dB.在载波频率偏差10kHz,100kHz和1MHz处测得差分调谐时的相位噪声分别是-83,-107和-130dBc/Hz,功耗为8.6mW.
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文献信息
篇名 一种采用开关阶跃电容的压控振荡器(下): 电路设计和实现
来源期刊 半导体学报 学科 工学
关键词 阶跃可变电容 MOS管可变电容 开关阶跃电容 电感电容压控振荡器 振荡调谐曲线 周期计算技术
年,卷(期) 2005,(11) 所属期刊栏目 研究论文
研究方向 页码范围 2182-2190
页数 9页 分类号 TN4
字数 4506字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.11.026
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 闵昊 复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室 108 1103 18.0 27.0
2 唐长文 复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室 33 330 11.0 16.0
3 何捷 复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室 15 340 7.0 15.0
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研究主题发展历程
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阶跃可变电容
MOS管可变电容
开关阶跃电容
电感电容压控振荡器
振荡调谐曲线
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半导体学报(英文版)
月刊
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大16开
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1980
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