大功率倒装结构GaN LED p电极研究

• 作者: 伊晓燕 李晋闽 王良臣 郭金霞 马龙
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 大功率 倒装结构 LED p电极 高反射 接触电阻
• 年，卷（期）: 2005,（z1）
• 页码范围: 161-164
• 页数: 4页
• 分类号: TN312+.8
• 字数: 3516字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.z1.043

摘要

从接触电阻、反射率、电流扩展等方面对Ni/Au/Ag,ITO/Ag,Ag等多种倒装结构p电极金属体系进行分析比较,给出了实现倒装结构大功率GaN LED p电极的多种设计方案.指出Ni/Au金属化体系在大功率LED应用中存在的热稳定性问题及Ru,Ir等新型金属体系实现GaN p电极接触的潜在优势.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李晋闽	中国科学院半导体研究所	75	652	13.0	23.0
2	马龙	中国科学院半导体研究所	50	495	14.0	21.0
3	王良臣	中国科学院半导体研究所	31	192	8.0	13.0
4	伊晓燕	中国科学院半导体研究所	11	52	4.0	7.0
5	郭金霞	中国科学院半导体研究所	4	8	2.0	2.0