UV/UHV/CVD生长应变Si1-xGex层

• 作者: 崔晓英 张鹤鸣 戴显英 朱永刚 李开成 王伟 王喜媛 王顺祥 胡辉勇
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: Si1-xGex 超高真空 紫外光 化学气相淀积
• 年，卷（期）: 2005,（4）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 641-644
• 页数: 4页
• 分类号: TN405
• 字数: 1177字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.04.002

摘要

应用紫外光化学气相淀积技术在450和480℃超高真空的背景下在Si衬底上分别生长出应变Si1-xGx和Si材料.在此低温下,有效地控制了衬底中的杂质外扩以及界面的不清晰.X射线分析结果表明Si1-xGex材料结晶状况良好,二次离子质谱分析结果表明多层Si1-xGex/Si材料界面陡峭,说明该技术能够生长出高质量的应变Si1-x-Gex/Si材料.