硅衬底GaN基LED研究进展

• 作者: 倪贤锋 叶志镇 唐海平 朱丽萍 洪炜 赵浙
• 来源期刊: 材料导报
• 学科: 工学
• 关键词: 硅衬底 GaN LED 薄膜开裂
• 年，卷（期）: 2005,（1）
• 所属期刊栏目: 本期专题:光电材料与器件
• 页码范围: 97-100
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.2+3|O77+2
• 字数: 3666字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1005-023X.2005.01.028

摘要

由于硅具有价格低、热导率高、大直径单晶生长技术成熟等优势以及在光电集成方面的应用潜力,GaN/Si基器件成为一个研究热点.然而,GaN与Si之间的热失配容易引起薄膜开裂,这是限制LED及其它电子器件结构生长的一个关键问题.近年来,随着工艺的发展,GaN晶体质量得到大幅度的提高.同时不少研究小组成功地在Si衬底上制造出LED.介绍了GaN薄膜开裂问题及近期硅衬底GaN基LED的研究进展.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	朱丽萍	浙江大学硅材料国家重点实验室	39	267	10.0	15.0
2	叶志镇	浙江大学硅材料国家重点实验室	155	1638	21.0	35.0
3	倪贤锋	浙江大学硅材料国家重点实验室	2	30	2.0	2.0
4	唐海平	浙江大学硅材料国家重点实验室	3	21	2.0	3.0
5	洪炜	浙江大学硅材料国家重点实验室	2	40	2.0	2.0
6	赵浙	浙江大学硅材料国家重点实验室	3	17	2.0	3.0