在SOI基上设计实现D/A驱动的高压LDMOS开关电路

• 作者: 张波 方健 李肇基 雷宇
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: D/A驱动电路 绝缘体上硅 LDMOS 高压开关电路
• 年，卷（期）: 2005,（6）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1255-1258
• 页数: 4页
• 分类号: TN4
• 字数: 1923字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.06.037

摘要

设计实现SOI基上带有D/A驱动的高压LDMOS功率开关电路,利用D/A变换的灵活性,运用数字电路与高压模拟电路混合设计方法,实现数字控制的耐压为300V的LDMOS功率开关电路.该功率集成电路芯片的实现,为SOI高压功率开关电路提供了一种更为方便快速的数字控制设计方法,同时也为功率系统集成电路提供了一种有效的实验验证,从而证实了功率系统集成的探索在理论上以及工程上具有一定的可行性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张波	电子科技大学微电子与固体电子学院	206	1313	17.0	26.0
2	李肇基	电子科技大学微电子与固体电子学院	85	958	14.0	28.0
3	方健	电子科技大学微电子与固体电子学院	35	304	9.0	16.0
4	雷宇	电子科技大学微电子与固体电子学院	5	58	4.0	5.0