Al0.98Ga0.02As的湿法氧化规律

• 作者: 廉鹏 徐遵图 杜金玉 沈光地 渠红伟 董立闽 邓军 邹德恕 郭霞
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: VCSEL AlGaAs 湿法氧化
• 年，卷（期）: 2005,（1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 197-201
• 页数: 5页
• 分类号: TN248.4
• 字数: 2262字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.01.039

摘要

为实现精确控制VCSELs器件中氧化孔的大小,对Al0.98Ga0.02As的湿法氧化规律进行了分析研究.首先运用一维Deal-Grove模型分析了Al0.98Ga0.02As条形台面湿法氧化的一般规律,并在此基础上进一步分析推导,加以适当的简化,提出了适用于二维圆形台面的简单氧化模型,用此模型模拟得到的结果与实验数据十分吻合.同时,实验中观察到氧化孔径很小时氧化速率突增的现象.运用这些规律,将氧化长度的精度控制在0.5μm内,基本实现了氧化工艺的可控性及可重复性.