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摘要:
将采用传统电化学腐蚀法制备的多孔硅样品,用浸泡液浸泡剥离其表层多孔层,使样品表面形成SiO2包裹纳米硅颗粒的结构,在表面镀半透明Au膜后制备成电致发光器件.在正向偏压下样品可以长时间稳定地发出绿光(510nm),并且随着偏压的升高,发光强度增强,峰位不变.讨论了可能的发光机制.
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文献信息
篇名 电化学腐蚀法制备的SiO2包裹纳米硅颗粒结构的电致发光特性
来源期刊 半导体学报 学科 物理学
关键词 多孔层 电致发光 纳米硅颗粒 发光中心
年,卷(期) 2005,(3) 所属期刊栏目 研究论文
研究方向 页码范围 524-527
页数 4页 分类号 O484.4+1
字数 2069字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.03.019
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 吴雪梅 苏州大学物理系 72 331 9.0 13.0
2 诸葛兰剑 苏州大学物理系 59 199 8.0 11.0
3 严勇健 苏州大学物理系 19 23 3.0 4.0
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研究主题发展历程
节点文献
多孔层
电致发光
纳米硅颗粒
发光中心
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体学报(英文版)
月刊
1674-4926
11-5781/TN
大16开
北京912信箱
2-184
1980
eng
出版文献量(篇)
6983
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8
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