过腐蚀自对准离子注入法制备SiGe HBT

• 作者: 姚飞 成步文 王启明 薛春来
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 过腐蚀 自对准 离子注入 SiGe HBT
• 年，卷（期）: 2005,（z1）
• 页码范围: 117-120
• 页数: 4页
• 分类号: TN32
• 字数: 2267字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.z1.031

摘要

用过腐蚀自对准离子注入工艺制备SiGe/Si异质结双极型晶体管,过腐蚀湿法腐蚀的横向钻蚀,为自对准离子注入提供了技术保障.对外基区的离子注入既减小了外基区的串联电阻,又有利于欧姆接触的制备,提高了器件的工艺成品率.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王启明	中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室	118	735	14.0	20.0
2	成步文	中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室	41	185	8.0	10.0
3	姚飞	中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室	16	70	6.0	7.0
4	薛春来	中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室	24	77	6.0	7.0