C波段0.75mm AlGaN/GaN功率器件

• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: AlGaN/GaN HEMT 微波输出功率 Si3N4 钝化
• 年，卷（期）: 2005,（9）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1804-1807
• 页数: 4页
• 分类号: TN814+.7
• 字数: 1407字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.09.024

摘要

研制并测试了以蓝宝石作衬底的10× 75μμm_0.8μm AlGaN/GaN微波器件,采用等离子增强气相化学沉积的方法生长了250nm的Si3N4形成钝化层,直流特性从0.56A/mm上升到0.66A/mm,跨导从158mS/mm增为170mS/rmm,截止频率由10.7GHz增大到13.7GHz,同时在4GHz下,Vds=25V,Vgs=-2.5V,输出功率由0.90W增至1.79W,输出功率密度达到2.4W/mm.钝化有效地改善了器件的输出特性,减小和消除了表面寄生栅对器件的影响.