高性能1mm AlGaN/GaN功率HEMTs研制

• 作者: 刘新宇 刘键 吴德馨 和致经 王晓亮 邵刚 陈宏 陈晓娟 魏珂
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: AlGaN/GaN HEMT 微波功率 单位截止频率
• 年，卷（期）: 2005,（1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 88-91
• 页数: 4页
• 分类号: TN325+.3
• 字数: 1970字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.01.018

摘要

报道了基于蓝宝石衬底的高性能1mm AlGaN/GaN HEMTs功率器件.为了提高微波功率器件性能,采用新的欧姆接触和新型空气桥方案.测试表明,器件电流密度为0.784A/mm,跨导197mS/mm,击穿电压大于40V,截止态漏电较小,1mm栅宽器件的单位截止频率达到20GHz,最大振荡频率为28GHz,功率增益为11dB,功率密度为1.2W/mm,PAE为32%,两端口阻抗特性显示了在微波应用中的良好潜力.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王晓亮	中国科学院半导体研究所	38	212	9.0	12.0
2	刘新宇	中国科学院微电子研究所	141	717	13.0	18.0
3	吴德馨	中国科学院微电子研究所	58	345	11.0	14.0
4	刘键	中国科学院微电子研究所	28	152	8.0	11.0
5	和致经	中国科学院微电子研究所	36	229	9.0	13.0
6	魏珂	中国科学院微电子研究所	24	134	5.0	10.0
7	陈晓娟	中国科学院微电子研究所	26	185	9.0	12.0
8	邵刚	中国科学院微电子研究所	5	46	3.0	5.0