深亚微米HCI模型参数多目标全域提取方法

• 作者: 刘红侠 李康 郝跃 马佩军 马晓华
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: HCI 时变栅电流模型 参数提取
• 年，卷（期）: 2005,（10）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 2038-2043
• 页数: 6页
• 分类号: TN386.3
• 字数: 4284字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.10.032

摘要

研究了一种建立在退化栅电流物理解析模型基础上的深亚微米pMOS器件HCI(hot carrier injection)退化模型.提出了一种基于L-M(Levenberg-Marquardt)算法的多目标响应全域优化提取策略,并对可靠性模型参数进行优化提取.分析了优化过程中由于参数灵敏度过低产生的问题并提出采用递归算法求解不同时刻栅电流注入电荷量的加速计算方法.最后,给出了最优化参数提取的结果,并且将测量值与理论值进行了比较,得到很好的一致性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郝跃	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	312	1866	17.0	25.0
2	马佩军	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	34	163	8.0	10.0
3	马晓华	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	40	140	7.0	8.0
4	李康	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	21	146	7.0	11.0
5	刘红侠	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	91	434	10.0	15.0