1.31μm垂直腔面发射激光器材料生长及其物理特性

• 作者: 劳燕锋 吴惠桢 黄占超
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: GaAs/AlGaAs分布布拉格反射镜 InAsP/InGaAsP多量子阱 键合
• 年，卷（期）: 2005,（z1）
• 页码范围: 121-125
• 页数: 5页
• 分类号: TN248.4
• 字数: 3935字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.z1.032

摘要

采用气态源分子束外延(GSMBE)技术在InP衬底上生长发光波长为1.31μm的InAsP/InGaAsP应变补偿多量子阱和在GaAs衬底上生长GaAs/AlGaAs分布布拉格反射镜(DBR),并用直接键合技术将生长在InP基上的InAsP/InGaAsP应变补偿多量子阱结构组装到GaAs衬底上生长的DBR结构上,对其微结构和发光等特性进行了比较系统的研究.发现500～620℃的高温键合过程和后续的剥离工艺不仅没有引起量子阱发光效率的降低,反而由于键合过程中的退火改进了晶体质量,大大提高了量子阱的发光强度,其中620℃退火处理后的光致发光强度是原生样品的3倍.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	劳燕锋	中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室	24	69	5.0	7.0
2	吴惠桢	中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室	23	87	6.0	7.0
3	黄占超	中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室	7	18	3.0	4.0