ZnO退火条件对硫化法制备的ZnS薄膜特性的影响

• 作者: 万冬云 张仁刚 张辉 王宝义 魏龙
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: ZnS薄膜 磁控溅射 ZnO硫化 太阳电池
• 年，卷（期）: 2005,（4）
• 所属期刊栏目: 物理学交叉学科及有关科学技术领域
• 页码范围: 1874-1878
• 页数: 5页
• 分类号: O4
• 字数: 2637字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2005.04.073

摘要

采用反应磁控溅射法在玻璃和石英衬底上沉积了ZnO薄膜,然后经过不同条件退火和在H2S气氛中硫化最终得到ZnS薄膜.用x射线粉末衍射仪、扫描电子显微镜和UV-VIS分光光度计对ZnS薄膜样品进行了分析.结果表明,ZnO薄膜硫化后的晶体结构和光学性质取决于它的退火条件.真空和纯O2中退火的ZnO薄膜硫化后只是部分形成六角晶系结构的ZnS.而在空气和纯N2中退火的ZnO薄膜则全部转变为ZnS,在可见光范围内的光透过率可达约80％,禁带宽度分别为3.66和3.61 eV.ZnO薄膜的富氧、贫氧和近化学计量比状态是导致其硫化后性质差异的主要原因.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王宝义	中国科学院高能物理研究所	69	258	9.0	12.0
2	张辉	中国科学院高能物理研究所	195	2226	23.0	39.0
3	魏龙	中国科学院高能物理研究所	50	325	10.0	16.0
4	张仁刚	中国科学院高能物理研究所	6	40	4.0	6.0
5	万冬云	中国科学院高能物理研究所	5	32	3.0	5.0