金属诱导单一方向横向晶化薄膜晶体管以及栅控型轻掺杂漏极结构的研究

• 作者: 吴春亚 孟志国 李娟 熊绍珍 王文 郭海成
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 金属单向诱导横向晶化 多晶硅薄膜晶体管 新型栅控轻掺杂漏区结构
• 年，卷（期）: 2005,（7）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 3363-3369
• 页数: 7页
• 分类号: O4
• 字数: 3866字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2005.07.069

摘要

提出了一种低温金属单向诱导横向晶化的多晶硅薄膜晶体管(LT-MIUC plly-Si TFT)的技术.使用该技术可在大面积廉价玻璃衬底上制备出高迁移率、低漏电电流、具有较好均匀性的多晶硅器件.在进一步的研究中,设计了一种新型的栅控轻掺杂漏区(GM-LDD)结构,有效地解决了在较高源漏电压下的栅诱导漏电问题.使得LT-MIUCpoly-Si TFT更适用于高质量的有源矩阵显示器.