0.1μm SOI槽栅pMOS器件特性

• 作者: 吴峻峰 孙宝刚 邵红旭 钟兴华
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: SOI 槽栅pMOSFET 亚阈值
• 年，卷（期）: 2005,（11）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 2080-2084
• 页数: 5页
• 分类号: TN386
• 字数: 699字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.11.007

摘要

制造了栅长0.1μm,栅氧厚度5.6nm,栅槽180nm的SOI槽栅pMOSFET.给出了器件的转移特性和输出特性.在Vds=-1.5V时,其饱和漏电流为380μA,关态泄漏电流为1.9nA;在Vds=-0.1V下的亚阈值斜率为115mV/dec,DIBL因子为70.7mV/V.实验结果表明,0.1μm SOI槽栅pMOSFET比同尺寸体硅槽栅pMOSFET拥有更好的电流驱动能力和亚阈值特性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙宝刚	中国科学院微电子研究所	6	8	2.0	2.0
2	吴峻峰	中国科学院微电子研究所	14	43	4.0	5.0
3	钟兴华	中国科学院微电子研究所	11	31	4.0	5.0
4	邵红旭	中国科学院微电子研究所	4	7	2.0	2.0