使用SiNx原位淀积方法生长的GaN外延膜中的应力研究

• 作者: 于乃森 周均铭 朱学亮 汪洋 秦琦 郭丽伟 陈弘
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: GaN SiNx原位淀积 拉曼 光荧光 残余应力
• 年，卷（期）: 2005,（11）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 5450-5454
• 页数: 5页
• 分类号: O4
• 字数: 3340字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2005.11.080

摘要

采用低压MOCVD系统,在生长过程中使用SiNx原位淀积的方法产生纳米掩模,并在纳米掩模上进行选区生长和侧向外延制备了GaN外延薄膜.使用拉曼光谱和光荧光的手段对GaN外延膜中的残余应力进行了研究.研究发现,用SiNx原位淀积出纳米掩模后,GaN生长将由二维向三维转变,直到完全合并为止.利用拉曼光谱和光荧光谱分别研究了薄膜中的残余应力,两者符合得很好;这种方法生长出的GaN薄膜的应力分布较传统的侧向外延更加均匀;并且从中发现随着生长过程中SiNx原位淀积时间的增加,生长在其上的GaN外延膜中的残余应力减小.这是因为,随着SiNx原位淀积时间的增加,SiNx纳米掩模的覆盖度也增大.因此侧向外延区的比例增大,残余应力随之减小.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	汪洋	中国科学院物理研究所表面物理国家重点实验室	112	1200	19.0	30.0
2	郭丽伟	中国科学院物理研究所表面物理国家重点实验室	4	15	3.0	3.0
3	陈弘	中国科学院物理研究所表面物理国家重点实验室	18	99	5.0	9.0
4	朱学亮	中国科学院物理研究所表面物理国家重点实验室	2	3	1.0	1.0
5	秦琦	中国科学院物理研究所表面物理国家重点实验室	2	46	2.0	2.0
6	于乃森	中国科学院物理研究所表面物理国家重点实验室	1	3	1.0	1.0