生长条件及退火处理对磷化铟单晶结构完整性的影响

• 作者: 董宏伟 赵有文
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 磷化铟 缺陷 X射线衍射
• 年，卷（期）: 2005,（z1）
• 页码范围: 52-56
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.2+3
• 字数: 3619字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.z1.015

摘要

利用X射线双晶衍射(XRD)技术研究了原生及退火处理后的磷化铟单晶的晶格完整性.原生磷化铟单晶中由于存在着大量的位错和高的残留热应力,导致晶格产生很大的畸变,表现为XRD半峰宽的值较高并且分布不均匀,甚至有些原生的磷化铟单晶片出现XRD双峰等.通过降低晶体生长过程的温度梯度,降低位错密度并减小晶体中的残留热应力可以提高晶体的完整性.利用高温退火处理也可有效地降低磷化铟晶体中的残留热应力.对磷化铟晶体生长过程中熔体的配比、掺杂浓度等条件对结构完整性的影响进行了分析.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵有文	中国科学院半导体研究所材料中心	42	217	7.0	11.0
2	董宏伟	中国科学院物理研究所	5	75	4.0	5.0