RTD与PHEMT集成的几个关键工艺

• 作者: 刘忠立 曾一平 杨富华 王建林 王良臣 白云霞
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 共振隧穿二极管 高电子迁移率晶体管 集成电路 工艺
• 年，卷（期）: 2005,（2）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 390-394
• 页数: 5页
• 分类号: TN705
• 字数: 2713字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.02.033

摘要

在新型的共振隧穿二极管(RTD)器件与PHEMT器件单片集成材料结构上,研究和分析了分立器件的制作工艺,给出了分立器件的制作工艺参数.利用上述工艺成功制作了RTD和PHEMT器件,并在室温下分别测试了RTD器件和PHEMT器件的电学特性.测试表明:在室温下,RTD器件的峰电流密度与谷电流密度之比提高到1.78;PHEMT器件的最大跨导约为120mS/mm,在Vgs＝0.5V时的饱和电流约为270mA/mm.这将为RTD集成电路的研制奠定工艺基础.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	曾一平	中国科学院半导体研究所新材料部	85	439	11.0	16.0
2	刘忠立	中国科学院半导体研究所微电子研发中心	77	412	12.0	14.0
3	王良臣	中国科学院半导体研究所光电子研发中心	31	192	8.0	13.0
4	杨富华	中国科学院半导体研究所超晶格与微结构国家重点实验室	49	227	9.0	14.0
5	王建林	中国科学院半导体研究所微电子研发中心	8	88	3.0	8.0
6	白云霞	中国科学院半导体研究所光电子研发中心	3	14	2.0	3.0