Mn+离子注入GaN薄膜的磁性研究

• 作者: 付德君 林玲 石瑛 范湘军 蒋昌忠
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 物理学
• 关键词: GaN 离子注入 磁性
• 年，卷（期）: 2005,（10）
• 所属期刊栏目: 研究与开发
• 页码范围: 1514-1516,1520
• 页数: 4页
• 分类号: O471.4
• 字数: 3639字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9731.2005.10.011

摘要

在(0001)面的蓝宝石衬底上用MOCVD法生长纤锌矿结构的GaN.GaN膜总厚度为4μm,表层为0.5μm厚的掺Mg的p型层.用90keV的Mn+离子对处于室温下的GaN进行离子注入,注入剂量为1×1015～5×1016ions/cm2.对注入的样品在N2气流中经约800℃进行快速热退火处理,时间为30～90s.样品的磁性用超导量子干涉仪(SQUID)进行分析.未注入的p型GaN薄膜是抗磁性的,而Mn+注入的GaN显现顺磁性(注入剂量为1×1015ions/cm2)和铁磁性(注入剂量为5×1015～5×1016ions/cm2).结合X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)对GaN薄膜在注入和退火后的结构和形貌研究,揭示Mn+ 注入是进行GaN磁性掺杂的有效手段,在Mn+ 注入p型GaN、制备得到的(Ga,Mn)N稀磁半导体中,空穴调制铁磁性是其主要的磁性机制.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	蒋昌忠	武汉大学物理科学与技术学院	43	191	9.0	11.0
2	范湘军	武汉大学物理科学与技术学院	26	237	8.0	14.0
3	林玲	武汉大学物理科学与技术学院	45	579	9.0	24.0
4	付德君	武汉大学物理科学与技术学院	28	94	6.0	8.0
5	石瑛	武汉大学物理科学与技术学院	16	128	7.0	11.0