低温退火对稀磁半导体(Ga,Mn)As性质的影响

• 作者: 吴晓光 杨富华 牛智川 蒋春萍 赵建华 邓加军 郑厚植
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 稀磁半导体 铁磁性 分子束外延
• 年，卷（期）: 2005,（z1）
• 页码范围: 42-44
• 页数: 3页
• 分类号: TN304.7
• 字数: 2061字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.z1.012

摘要

利用低温分子束外延技术在GaAs(001)上外延生长出厚度为500nm的稀磁半导体(Ga,Mn)As薄膜.双晶X射线衍射证明其为闪锌矿结构,晶格参数为0.5683nm,据此推导出其Mn含量为7%.磁测量结果揭示其铁磁转变温度为65K.观察了低温退火处理对(Ga,Mn)As磁性质的影响,发现生长后退火处理显著提高了其铁磁转变温度,可以达到115K.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴晓光	中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室	5	77	3.0	5.0
2	赵建华	中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室	68	886	17.0	27.0
3	牛智川	中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室	45	124	5.0	8.0
4	杨富华	中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室	49	227	9.0	14.0
5	邓加军	中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室	4	109	1.0	4.0
6	蒋春萍	中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室	7	4	1.0	1.0