拓扑缺陷对碳纳米管电学性能的影响

• 作者: 张丽芳 胡慧芳
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 碳纳米管 分子结 异质结 拓扑缺陷 电荷密度
• 年，卷（期）: 2005,（10）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1959-1962
• 页数: 4页
• 分类号: O474
• 字数: 3121字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.10.018

摘要

在紧束缚近似基础上,利用扩展的Su-Schriffer-Heeger(SSH)模型,在实空间中计算了理想的"zigzag"碳纳米管中分别引入5/7,5/6/7,5/6/6/7拓扑缺陷所构成的(9,0)-(8,0),(9,0)-(7,0)和(9,0)-(6,0)三种系统的能带结构和电荷密度,并对这三种系统的计算结果进行了比较.结果表明,拓扑缺陷五边形和七边形在碳管中沿轴向的不同分布对碳管电学性能的影响明显不同.因此,可以研制出基于这些异质结的不同电子器件基元.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	胡慧芳	湖南大学应用物理系	18	76	5.0	7.0
2	张丽芳	天津商学院理学院	1	6	1.0	1.0