碳掺杂硼氮纳米管导电性的理论研究

• 作者: 张桂玲 戴柏青 赵景祥
• 来源期刊: 高等学校化学学报
• 学科: 化学
• 关键词: 碳掺杂硼氮纳米管 能带 态密度 电子结构 DFT/B3LYP计算
• 年，卷（期）: 2005,（2）
• 页码范围: 304-307
• 页数: 4页
• 分类号: O641
• 字数: 2190字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0251-0790.2005.02.019

摘要

根据DFT/B3LYP的计算结果, 从能带、态密度和电子结构的变化, 讨论了以C-C 键替换B-N 键的二碳和四碳掺杂的硼氮纳米管的导电性. 结果表明, 替换后硼氮纳米管的导电性能增强, 并且可以通过控制替换的量来调节管的半导体性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张桂玲	哈尔滨师范大学化学系	17	129	5.0	11.0
2	戴柏青	哈尔滨师范大学化学系	24	111	5.0	9.0
3	赵景祥	哈尔滨师范大学化学系	8	14	3.0	3.0