生长温度对PLD原位生长SrTiO3薄膜结构与非线性介电性能的影响

• 作者: 何世明 刘兴钊 李言荣 段滨 陶伯万
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 物理学
• 关键词: SrTiO3薄膜 介电性能 叉指电容 非线性
• 年，卷（期）: 2005,（2）
• 所属期刊栏目: 研究与开发
• 页码范围: 246-249
• 页数: 4页
• 分类号: O484
• 字数: 3208字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9731.2005.02.027

摘要

采用脉冲激光沉积法(PLD)制备的Y1B2Cu3O7-x薄膜作为叉指底电极,然后生长SrTiO3介质薄膜,形成叉指型压控电容结构.通过对SrTiO3薄膜的原位生长温度与薄膜微观结构及非线性介电性能之间的关系研究,发现随生长温度的升高薄膜晶粒逐步增大然后变小,薄膜的介电常数可调率和本征介电损耗随晶粒大小的增大而增加,而非本征损耗则随晶粒取向的增加而减小.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李言荣	电子科技大学微电子与固体电子学院	115	824	15.0	21.0
2	刘兴钊	电子科技大学微电子与固体电子学院	56	310	9.0	14.0
3	陶伯万	电子科技大学微电子与固体电子学院	39	165	5.0	10.0
4	何世明	电子科技大学微电子与固体电子学院	9	39	3.0	6.0
5	段滨	电子科技大学微电子与固体电子学院	2	5	1.0	2.0