化学法制备掺杂CoO的NiO及其电容性能研究

• 作者: 于维平 吴翔 孟令款 杨晓萍
• 来源期刊: 金属热处理
• 学科: 工学
• 关键词: 掺杂CoO 氧化镍 超级电容器 化学法
• 年，卷（期）: 2005,（9）
• 所属期刊栏目: 材料研究
• 页码范围: 23-26
• 页数: 4页
• 分类号: TM53
• 字数: 3285字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0254-6051.2005.09.007

摘要

采用醇-水法制备了掺杂CoO的纳米级NiO粉体,研究了在Ni(NO3)2中添加不同比例的Co(NO3)2对所得氧化镍电极电容性能的影响.对所制模拟电容器的容量测试表明,掺杂一定比例的氧化钴能显著提高比容量的值,并且有效降低了循环中比容量的衰减,增强了模拟电容器大电流充放电的稳定性.当Co(NO3)2与Ni(NO3)2的体积比为1∶9时所得掺杂CoO的NiO电极的比容量最高,在放电电流密度为1mA/cm2时,比容量稳定值可达548F/g;30mA/cm2时可达410F/g.研究还表明,在小电流放电情况下,制备NiO前驱体所需不同的洗涤方式对制得的模拟电容器比容量的大小影响不大,但在大电流放电时,最后一遍醇洗制得的模拟电容器电容性能较好.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	于维平	北京航空航天大学工程训练中心	26	151	7.0	11.0
2	孟令款	北京航空航天大学工程训练中心	3	57	3.0	3.0
3	杨晓萍	北京航空航天大学工程训练中心	3	53	3.0	3.0
4	吴翔	北京航空航天大学工程训练中心	1	17	1.0	1.0