1064nm RCE探测器光电响应特性分析

• 作者: 佟存柱 倪海桥 吴荣汉 彭红玲 杜云 杨晓红 牛智川 章昊 郑厚植 韩勤
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 谐振腔增强型 光电探测器 量子阱 量子点
• 年，卷（期）: 2005,（8）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1605-1609
• 页数: 5页
• 分类号: TN215
• 字数: 2438字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.08.025

摘要

对1064nm谐振腔增强型(RCE)光电探测器(PD)的光电响应特性进行了分析研究.利用MBE生长技术得到有源区分别为量子阱和量子点的1064nm RCE探测器的外延片,并对制作的探测器进行了各种光电特性测试.结果表明量子阱结构的RCE探测器量子效率峰值达到57%,谱线半宽6～7nm,峰值波长1059nm;而量子点结构的RCE探测器量子效率峰值达到30%,谱线半宽5nm,峰值波长1056nm.通过分析量子效率和吸收系数之间的关系,对两种结构器件的吸收进行了比较,发现虽然量子点探测器的吸收小,但通过合理设计共振腔等方法也可以达到较高的量子效率.两种结构的器件都有很好的I-V特性.