亚100nm体硅MOSFET集约I-V模型

• 作者: 余志平 张大伟 张雪莲 朱广平 田立林 章浩
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 量子力学效应 弹道输运 体硅MOSFET 集约I-V模型 可延伸性
• 年，卷（期）: 2005,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 554-561
• 页数: 8页
• 分类号: TN304.02
• 字数: 4725字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.03.025

摘要

利用"局域化"的概念和二维泊松方程的解析解,建立了沟道方向上二维量子效应对阈电压的修正模型.基于密度梯度理论,建立了多晶硅栅内量子效应对阈电压的修正模型.在此基础上,结合弹道理论,开发了一个适用于亚100nm MOSFET的集约I-V模型.通过与TSMC提供的沟长为45nm实际器件测试结果[1],以及与三组亚100nm MOSFET的数值模拟结果的比较,证明了该模型具有良好的精度(平均误差小于8%)和可延伸性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张大伟	清华大学微电子学研究所	19	414	9.0	19.0
2	章浩	清华大学电子工程系	7	10	2.0	2.0
3	余志平	清华大学微电子学研究所	45	158	7.0	10.0
4	田立林	清华大学微电子学研究所	31	116	6.0	8.0
5	朱广平	清华大学微电子学研究所	4	2	1.0	1.0
6	张雪莲	清华大学微电子学研究所	1	2	1.0	1.0