SiO2/Si波导应力双折射数值分析

• 作者: 夏君磊 安俊明 李健 李健光 梁希侠 王红杰 班士良 胡雄伟 郜定山
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: SiO2/Si 波导 应力 双折射 数值分析
• 年，卷（期）: 2005,（7）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1454-1458
• 页数: 5页
• 分类号: TN814+.6
• 字数: 2593字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.07.032

摘要

采用有限元法对SiO2/Si掩埋光波导制备工艺中的应力变化进行了系统的分析,在此基础上,应用有限差分束传播法(FDBPM)对应力光波导的双折射进行了计算.结果表明上包层的玻璃化过程是SiO2/Si波导形成水平方向和垂直方向应力差的主要原因,相应的应力双折射系数B在10-4量级.进一步的分析表明上包层B,P重掺杂可明显减小波导的双折射系数.