850nm氧化物限制型VCSEL的温度特性

• 作者: 张永明 李林 王玉霞 苏伟 赵英杰 郝永芹 钟景昌
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 垂直腔面发射激光器 氧化物限制 温度特性
• 年，卷（期）: 2005,（5）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1024-1027
• 页数: 4页
• 分类号: TN248.4
• 字数: 1600字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.05.033

摘要

采用热封闭系统对850nm氧化物限制型VCSEL的温度特性进行了研究.实验证实该器件在80℃仍能正常工作,在20～80℃的温度区间内,器件的斜率效率由0.3mW/mA降到0.2mW/mA.根据阈值电流的温度依赖性得出T0=350K,器件的基模红移为0.11nm/mW,实验确定其热阻为2.02℃/mW.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	钟景昌	长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室	20	129	7.0	10.0
2	郝永芹	长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室	28	87	5.0	8.0
3	赵英杰	长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室	21	148	7.0	11.0
4	王玉霞	长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室	20	136	6.0	11.0
5	张永明	长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室	22	28	2.0	5.0
6	李林	长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室	30	177	8.0	12.0