部分耗尽型注氟SIMOX器件的电离辐射效应

• 作者: 刘忠立 张国强 张正选 李宁 林成鲁 林青 范楷 郑中山
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: SIMOX 氟 总剂量辐射
• 年，卷（期）: 2005,（2）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 349-353
• 页数: 5页
• 分类号: TN386
• 字数: 2248字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.02.025

摘要

采用在SIMOX圆片埋氧层中注入氟(F)离子的方法改善SIMOX的抗总剂量辐射能力,通过比较未注F样品和注F样品辐照前后SIMOX器件Ids-Vgs特性和阈值电压,发现F具有抑制辐射感生pMOSFET和nMOSFET阈值电压漂移的能力,并且可以减小nMOSFET中由辐照所产生的漏电流.说明在SOI材料中前后Si/SiO2界面处的F可以减少空穴陷阱密度,有助于提高SIMOX的抗总剂量辐射能力.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李宁	中国科学院半导体研究所	304	5119	38.0	59.0
2	张国强	中国科学院半导体研究所	82	553	12.0	21.0
3	刘忠立	中国科学院半导体研究所	77	412	12.0	14.0
4	林成鲁	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	44	595	15.0	23.0
5	林青	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	10	89	6.0	9.0
6	郑中山	中国科学院半导体研究所	7	17	3.0	3.0
7	张正选	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	20	56	4.0	6.0
8	范楷	中国科学院半导体研究所	1	6	1.0	1.0