高压nMOS器件的设计与研制

• 作者: 宋李梅 李桦 杜寰 韩郑生
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 高压nMOS器件 模拟 制造
• 年，卷（期）: 2005,（8）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 1489-1494
• 页数: 6页
• 分类号: TN303
• 字数: 1033字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.08.002

摘要

根据TCAD软件模拟的最优工艺条件成功研制了高压nMOS器件.测试结果表明器件的击穿电压为114V,阈值电压和最大驱动能力分别为1.02V和7.5mA(W/L=50).详细比较了器件的模拟结果和测试数据,并且提出了一种改善其击穿性能的方法.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	韩郑生	中国科学院微电子研究所	122	412	10.0	12.0
2	宋李梅	中国科学院微电子研究所	18	56	5.0	5.0
3	李桦	中国科学院微电子研究所	6	36	3.0	6.0
4	杜寰	中国科学院微电子研究所	41	108	5.0	6.0