深能级杂质Zn对n型硅半导体的补偿特性

• 作者: 丛秀云 崔志明 巴维真 蔡志军 陈朝阳
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 深能级杂质 费米能级 多数载流子 补偿度
• 年，卷（期）: 2005,（6）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1140-1143
• 页数: 4页
• 分类号: TN304
• 字数: 2226字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.06.014

摘要

为得到高B值(材料常数)的单晶热敏材料,采用高温气相扩散的方法在n型硅中掺杂深能级杂质Zn,得到高补偿的硅材料,并对该材料特性进行了测试和分析.结果表明:这种补偿硅具有热敏特性,该材料的B值为6300K左右,其阻值对温度的依赖关系与杂质的补偿程度有关.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈朝阳	中国科学院新疆理化技术研究所	60	622	12.0	22.0
2	巴维真	中国科学院新疆理化技术研究所	25	201	8.0	13.0
3	丛秀云	中国科学院新疆理化技术研究所	12	74	5.0	7.0
4	崔志明	中国科学院新疆理化技术研究所	4	25	3.0	4.0
5	蔡志军	中国科学院新疆理化技术研究所	4	25	3.0	4.0