渠道火花烧蚀法制备In2O3:Mo透明导电薄膜

• 作者: 华中一 张群 张莉 李喜峰 章壮健 缪维娜 黄丽
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: In2O3:Mo 渠道火花烧蚀 功函数 紫外光电子谱
• 年，卷（期）: 2005,（11）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 2133-2138
• 页数: 6页
• 分类号: TN304.2+1
• 字数: 4514字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.11.017

摘要

采用渠道火花烧蚀技术在普通玻璃基板上制备了掺钼氧化铟In2O3:Mo透明导电薄膜,研究了烧蚀时氧气压强对薄膜光电性能的影响.在基板温度Ts=350℃时,薄膜的电阻率和载流子浓度随氧气压强增大分别呈凹形和凸形的变化趋势.薄膜电阻率最小值是4.8×10-4Ω·cm,载流子浓度为7.1×1020 cm-3.载流子迁移率最高可达49.6cm2/(V·s).可见光区域平均透射率大于87%以上,由紫外光电子谱分析得到薄膜的表面功函数为4.6eV.X射线衍射分析表明,薄膜结晶性良好并在(222)晶面择优取向生长.原子力显微镜观察薄膜样品表面得到方均根粗糙度为0.72nm,平均粗糙度为0.44nm,峰谷最大差值为15.4nm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	华中一	复旦大学材料科学系	51	348	11.0	15.0
2	张群	复旦大学材料科学系	110	917	15.0	24.0
3	李喜峰	复旦大学材料科学系	6	45	3.0	6.0
4	章壮健	复旦大学材料科学系	41	667	16.0	24.0
5	张莉	复旦大学材料科学系	47	300	9.0	15.0
6	黄丽	复旦大学材料科学系	35	228	9.0	14.0
7	缪维娜	复旦大学材料科学系	4	32	3.0	4.0