PD SOI nMOSFETs中浮体效应对辐照性能的影响

• 作者: 海潮和 赵洪辰 钱鹤 韩郑生
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 浮体效应 辐照 SOI
• 年，卷（期）: 2005,（2）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 234-237
• 页数: 4页
• 分类号: TN432
• 字数: 1165字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.02.003

摘要

在SIMOX衬底上制备了H形栅和环形栅PD SOI nMOSFETs,并研究了浮体效应对辐照性能的影响.在106rad(Si)总剂量辐照下,所有器件的亚阈特性未见明显变化.环形栅器件的背栅阈值电压漂移比H型栅器件小33%,其原因是碰撞电离使环形栅器件的体区电位升高,在埋氧化层中形成的电场减小了辐照产生的损伤.浮体效应有利于改进器件的背栅抗辐照能力.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	海潮和	中国科学院微电子研究所	72	277	9.0	13.0
2	韩郑生	中国科学院微电子研究所	122	412	10.0	12.0
3	赵洪辰	中国科学院微电子研究所	10	29	4.0	5.0
4	钱鹤	中国科学院微电子研究所	32	164	7.0	12.0